长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷
长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷：格隆汇8月25日｜据中国光谷微信公众号消息，长飞8月25日，先进武汉市东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。半导长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目总投资预计超过200亿元，体第其中项目一期总投资100亿元，代半导体可年产36万片SiCMOSFET晶圆，功率光谷包括外延、器件器件设计、生产晶圆制造、基地封装等。落户长飞长飞
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