英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

综合2024-05-12 01:23:12945

IT之家 12 月 21 日消息，英特优势于台艺英特尔首席执行官帕特・基辛格（Pat Gelsinger）近日在接受采访时表示，亲自英特尔的站台 18A 工艺和台积电的 N2 工艺不相上下。

不过基辛格表示，略高在背面供电（backside power delivery）方面，积电英特尔更胜一筹，英特优势于台艺也得到了客户的亲自广泛认可。

基辛格表示英特尔在背面供电技术方面，提供了更好的略高面积效率，这意味着更低的积电成本更好的动力输出，也意味着更高的英特优势于台艺性能。

基辛格表示 Intel 18A 凭借着良好的亲自晶体管和强大的功率传输，略微领先于 N2。站台此外台积电的略高封装成本更高，而英特尔可以提供更有竞争力的积电价格优势。

目前台积电、英特尔和三星都在加速推进代工业务，在最近的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，三家公司都展示了 CFET（Complementary FET）晶体管解决方案。

IT之家注：堆叠 CFET 晶体管架构涉及将两种类型的晶体管（nFET 和 pFET）堆叠在一起，目标是取代全环绕栅极（GAA），成为密度翻倍的下一代晶体管设计。

据 IEEE Spectrum 报道，英特尔是第一家展示 CFET 解决方案的代工厂，早在 2020 年就公开推出了早期版本。在会议期间，英特尔介绍了使用 CFET 制造的最简单的电路之一，重点介绍了逆变器的改进。

CMOS 反相器将相同的输入电压发送到堆叠在一起的双晶体管的栅极，产生与输入逻辑相反的输出，并且逆变器在单个鳍片上完成。

英特尔还通过将每个器件的纳米片数量从两个增加到三个，将两个器件之间的间隔从 50 nm 减少到 30 nm，从而改进了 CFET 堆栈的电气特性。

专家们预计，从现在开始，CFET 技术的大规模商业化可能还需要 7 到 10 年的时间。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。

本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。