华为、哈工大联手:基于硅和金刚石的三维集成芯片专利公布
快科技11月21日消息,华为哈工和金据企查查显示,大联近日,手基华为技术有限公司、于硅哈尔滨工业大学申请的刚石公布“一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法”专利公布。
专利摘要显示,集成本发明涉及芯片制造技术领域。芯片
该方法包括:制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理;将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中,清洗后吹干;
在吹干后的大联硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液,将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合,手基得到预键合芯片;将预键合芯片进行热压键合,于硅退火处理,刚石公布得到混合键合样品对。集成
本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。
据悉,该专利于2023年10月27日申请公布。受此影响,培育钻石概念涨幅已超16%。
本文地址:http://www.jiemengs.com/html/919f999028.html
版权声明
本文仅代表作者观点,不代表本站立场。
本文系作者授权发表,未经许可,不得转载。